Le département de Microélectronique du Laboratoire d'électronique, de technologie et d'instrumentation (Leti) au Commissariat à l'énergie atomique/Grenoble vient de réaliser une première mondiale : un transistor de technologie Metal Oxyde Semiconducteur (MOS) d'une dimension de 20 nanomètres (soit 20 millionièmes de millimètre). Ce résultat place le laboratoire en tête dans la course mondiale à la miniaturisation et la recherche des limites de cette technologie. La dimension minimale des transistors actuellement disponibles sur le marché est de 180 nanomètres et les derniers résultats publiés (annonce faite par les laboratoires de Toshiba) mentionnent des dimensions de l'ordre de 40 nanomètres. Par ailleurs, les prévisions de la SIA* font apparaître un besoin pour une technologie MOS de 20 nanomètres dans les années 2015 à 2020, la miniaturisation des composants permettant d'augmenter la rapidité des dispositifs électroniques ainsi que la densité d'intégration des circuits. Le transistor MOS du Leti a été réalisé dans l'une de ses salles blanches, dans le cadre du projet "CMOS Ultime" du programme "PLATO Microélectronique du futur". Ce programme, unique en Europe, s'appuie sur une plate-forme technologique ouverte, mettant à la disposition de la communauté scientifique française des équipements de type industriel, pour la conception et la validation de nouveaux composants électroniques à l'échelle sub-micronique.

** SIA : Semi-conductor Industry Association ; planning prévisionnel des nouvelles technologies établi par un groupement réunissant les principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs.